HAS530M12BM3

Wolfspeed
941-HAS530M12BM3
HAS530M12BM3

メーカ：

詳細：
ディスクリート半導体モジュール SiC, Module, 530A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment

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製品属性 属性値 属性の選択
Wolfspeed
製品カテゴリー: ディスクリート半導体モジュール
RoHS:  
Half Bridge Modules
Half Bridge
SiC
2 V
800 V
- 8 V, + 19 V
105 mm x 62 mm x 31 mm
- 40 C
+ 150 C
ブランド: Wolfspeed
構成: Half Bridge
Id - 連続ドレイン電流: 630 A
Pd - 電力損失: 2 kW
製品タイプ: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 3.47 mOhms
工場パックの数量: 1
サブカテゴリ: Discrete and Power Modules
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧: 1.2 kV
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧: 2.5 V
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選択した属性: 0

JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

HAS 過酷環境SiCハーフブリッジモジュール

Wolfspeed   HAS 過酷環境シリコンカーバイド (SiC) ハーフブリッジモジュールは、堅牢な業界スタンダードの62mmモジュールパッケージを維持しながら、SiCのシステム上のメリットを実現しています。低インダクタンスのレイアウトによる内部設計により、高速SiCスイッチングのメリットとシステム効率の向上が可能になります。Wolfspeed HAS モジュールは、誘導加熱、鉄道/牽引、モータドライブ、EV 充電インフラなどの高周波 産業用アプリケーションに最適です。

62mmシリコンカーバイド・ハーフブリッジモジュール

Wolfspeed 1,200Vおよび1,700V 62mmシリコンカーバイド（SiC）ハーフブリッジモジュールは、SiCのシステムメリットと堅牢でインダクタンスが低いレイアウトを兼ね備えています。ハーフブリッジモジュールは、SiCのスイッチング損失と導通損失が低いため、システム効率が向上しているのが特徴です。これらのパワーモジュールには、低インダクタンスの内部レイアウトが搭載されており、最小限のオーバーシュートとリンギングでの最大電圧を使用することが可能です。ハーフブリッジモジュール は、堅牢なCTEマッチングで熱抵抗を低減する窒化アルミニウム・セラミック、または最大接合部温度での動作を維持する窒化ケイ素セラミックから選択できます。

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