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IDH06G65C5XKSA2

Name: Infineon IDH06G65C5XKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IDH06G65C5XKSA2
Price: 586 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-IDH06G65C5XKSA2

メーカ番号：

IDH06G65C5XKSA2

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

SIC SCHOTTKYダイオード SIC DIODES

データシート:

IDH06G65C5XKSA2 データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-2
構成:	Single
If - 順電流（Forward Current）:	6 A
Vrrm - 繰返し逆電圧（Repetitive Reverse Voltage）:	650 V
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	1.5 V
Ifsm - 順方向サージ電流（Forward Surge Current）:	54 A
Ir - 逆電流（Reverse Current）:	300 nA
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	XDH06G65
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Infineon Technologies
Pd - 電力損失:	62 W
製品タイプ:	SiC Schottky Diodes
工場パックの数量:	500
サブカテゴリ:	Diodes & Rectifiers
トレードネーム:	CoolSiC
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	650 V
別の部品番号:	IDH06G65C5 SP001632370
単位重量:	2 g

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データシート

IDH06G65C5XKSA2 データシート (PDF)

Models

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

SPICE Models

Simulation Model SiC Diodes CoolSiC™ PSpice Generation 5 650V IDHxxG65C5 (Zip)

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 854110090
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: オーストリア
組立原産国:: マレーシア
拡散国:: オーストリア

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes

Infineon Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes deliver market-leading efficiency at an attractive cost point. Infineon’s proprietary diffusion soldering process, already introduced with Generation 3, is now combined with a new, more compact design as well as the latest advancements in thin wafer technology, bringing improved thermal characteristics and lower Figures of Merit (Q_c x V_f).

炭化ケイ素CoolSiC™ MOSFET&ダイオード

Infineon炭化ケイ素CoolSiC™ MOSFETとダイオードは、よりスマートで効率的なエネルギーの生成、伝送、消費のニーズに応える包括的なポートフォリオを提供します。CoolSiCポートフォリオは、中〜高出力システムにおいて、システムのサイズとコストを削減するお客様のニーズに応えます。最高の品質基準を満たし、長寿命を確保し、信頼性を保証します。CoolSiCを使用することで、お客様は最も厳しい効率性目標を達成しつつ、運用コストを削減できます。ポートフォリオには、CoolSiC SCHOTTKYダイオード、CoolSiCハイブリッドモジュール、CoolSiC MOSFETモジュール、ディスクリート部品、及び炭化ケイ素デバイスを駆動するためのEiceDRIVER™ ゲートドライバICが含まれています。

パワーの違いを体験する

インフィニオンは、パワー半導体市場のリーダーです。20年以上の経験を持ち、画期的なCoolMOS™ スーパージャンクションMOSFETテクノロジーの革新者であるInfineonは、電源管理分野での先駆者としての地位を維持しています。お客様は、業界で最も幅広いシリコンベースのSJ MOSFETポートフォリオから、個々の設計およびシステム要件に応じて選択できます。主要な3つの電源テクノロジーをすべて網羅している数少ないメーカーの一つとして、Infineonは革新的なワイドバンドギャップ（WBG）製品をこのポートフォリオに追加しています。この製品には、炭化ケイ素ベースのCoolSiC™ MOSFET、対応するダイオード、および窒化ガリウムベースのCoolGaN™ e-mode HEMTが含まれています。優れたコストパフォーマンスから比類のない堅牢性、そして最高クラスのデバイスまで、さまざまなソリューションが提供されています。これにより、顧客はより効率的で環境に優しく、持続可能なアプリケーションを構築できます。