IDW12G65C5XKSA1

Infineon Technologies
726-IDW12G65C5XKSA1
IDW12G65C5XKSA1

メーカ：

詳細：
SIC SCHOTTKYダイオード SIC DIODES

データシート:
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥804.8 ¥805
¥451.2 ¥4,512
¥372.8 ¥37,280
¥294.4 ¥141,312

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
Single
12 A
650 V
1.5 V
71 A
600 nA
- 55 C
+ 175 C
XDW12G65
Tube
ブランド: Infineon Technologies
Pd - 電力損失: 76 W
製品タイプ: SiC Schottky Diodes
工場パックの数量: 240
サブカテゴリ: Diodes & Rectifiers
トレードネーム: CoolSiC
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）: 650 V
別の部品番号: IDW12G65C5 SP001633166
単位重量: 6 g
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選択した属性: 0

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JPHTS:
854110090
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411099
ECCN:
EAR99

パワーの違いを体験する

インフィニオンは、パワー半導体市場のリーダーです。20年以上の経験を持ち、画期的なCoolMOS™ スーパージャンクションMOSFETテクノロジーの革新者であるInfineonは、電源管理分野での先駆者としての地位を維持しています。お客様は、業界で最も幅広いシリコンベースのSJ MOSFETポートフォリオから、個々の設計およびシステム要件に応じて選択できます。主要な3つの電源テクノロジーをすべて網羅している数少ないメーカーの一つとして、Infineonは革新的なワイドバンドギャップ（WBG）製品をこのポートフォリオに追加しています。この製品には、炭化ケイ素ベースのCoolSiC™ MOSFET、対応するダイオード、および窒化ガリウムベースのCoolGaN™ e-mode HEMTが含まれています。優れたコストパフォーマンスから比類のない堅牢性、そして最高クラスのデバイスまで、さまざまなソリューションが提供されています。これにより、顧客はより効率的で環境に優しく、持続可能なアプリケーションを構築できます。

Switch Mode Power Supplies - High Power Topology

Infineon Technologies Switch Mode Power Supplies - High Power Topology is suitable for power applications above 400W. Following the front end stage of an AC/DC rectifier, a DC/DC power converter is required to step down the bus voltage and provide a galvanically isolated and tightly regulated DC output (12V, 24V, 48V). While a wide range of isolated topologies are available, the phase-shifted full-bridge converter is more suitable for higher power applications for reasons such as its inherent zero-voltage Switching for the primary side switches.

Switch Mode Power Supplies - PFC Boost CrCM / CCM

Infineon Technologies PFC Boost CrCM (Critical Conduction Mode) / CCM (Continuous Conduction Mode) helps shape the input current of the power supply to be in synchronization with the mains voltage, in order to maximize the real power drawn from the mains. CCM is the most popular topology used in PFC applications and is commonly used for medium/high power ranges (higher than 300W), for reasons such as lower current peaks and better line filtering in terms of cost and size. CrCM is more commonly used for low power (less than 300W) PFC applications. When active power factor correction is required, the boost converter is the most popular topology used in AC/DC applications, specifically in power supply products for servers, telecommunication, adapters, and more.

Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes

Infineon Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes deliver market-leading efficiency at an attractive cost point. Infineon’s proprietary diffusion soldering process, already introduced with Generation 3, is now combined with a new, more compact design as well as the latest advancements in thin wafer technology, bringing improved thermal characteristics and lower Figures of Merit (Qc x Vf).

Switch Mode Power Supplies (SMPS)

Infineon Technologies Switch Mode Power Supplies (SMPS) are a cost-effective line that includes high voltage MOSFETs, control ICs, and Silicon Carbide diodes for PFC and PWM stages, as well as low voltage MOSFETs for synchronous rectification. With these SMPS products Infineon supports the trends towards continuously reducing power consumption. Especially versatile is the new CoolMOS™ 600V C6 family which combines good efficiency with attractive pricing, as does our 3rd generation SiC diodes. For synchronous rectification the OptiMOS™ 3 series offers extremely low on-state resistance and low capacitances. Infineon's new control ICs support topologies such as quasi-resonant flyback and LLC.

炭化ケイ素CoolSiC™ MOSFET&ダイオード

Infineon炭化ケイ素CoolSiC™ MOSFETとダイオードは、よりスマートで効率的なエネルギーの生成、伝送、消費のニーズに応える包括的なポートフォリオを提供します。CoolSiCポートフォリオは、中〜高出力システムにおいて、システムのサイズとコストを削減するお客様のニーズに応えます。最高の品質基準を満たし、長寿命を確保し、信頼性を保証します。CoolSiCを使用することで、お客様は最も厳しい効率性目標を達成しつつ、運用コストを削減できます。ポートフォリオには、CoolSiC SCHOTTKYダイオード、CoolSiCハイブリッドモジュール、CoolSiC MOSFETモジュール、ディスクリート部品、及び炭化ケイ素デバイスを駆動するためのEiceDRIVER™ ゲートドライバICが含まれています。

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