ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

IDW40G65C5BXKSA2

Name: Infineon IDW40G65C5BXKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IDW40G65C5BXKSA2
Price: 2193 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-IDW40G65C5BXKSA2

メーカ番号：

IDW40G65C5BXKSA2

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

SIC SCHOTTKYダイオード SIC DIODES

データシート:

IDW40G65C5BXKSA2 データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

Infineon Technologies IDW40G65C5BXKSA2の詳細を読む

在庫: 187

在庫：: 187 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 17 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥2,193.6	¥2,194
	¥1,566.4	¥15,664
	¥1,344	¥134,400
	¥1,081.6	¥519,168

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
構成:	Single
If - 順電流（Forward Current）:	40 A
Vrrm - 繰返し逆電圧（Repetitive Reverse Voltage）:	650 V
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	1.5 V
Ifsm - 順方向サージ電流（Forward Surge Current）:	182 A
Ir - 逆電流（Reverse Current）:	2.2 uA
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	XDW40G65
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Infineon Technologies
Pd - 電力損失:	183 W
製品タイプ:	SiC Schottky Diodes
工場パックの数量:	240
サブカテゴリ:	Diodes & Rectifiers
トレードネーム:	CoolSiC
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	650 V
別の部品番号:	IDW40G65C5B SP001633192
単位重量:	6 g

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

Product Catalogs

Technical Resources

Test/Quality Data

MCDS_2015-08-14_04-13-51_MA001225322_PG-TO247-3-41.pdf (PDF)

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

JPHTS:: 854110090
CNHTS:: 8541590000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

炭化ケイ素CoolSiC™ MOSFET&ダイオード

Infineon炭化ケイ素CoolSiC™ MOSFETとダイオードは、よりスマートで効率的なエネルギーの生成、伝送、消費のニーズに応える包括的なポートフォリオを提供します。CoolSiCポートフォリオは、中〜高出力システムにおいて、システムのサイズとコストを削減するお客様のニーズに応えます。最高の品質基準を満たし、長寿命を確保し、信頼性を保証します。CoolSiCを使用することで、お客様は最も厳しい効率性目標を達成しつつ、運用コストを削減できます。ポートフォリオには、CoolSiC SCHOTTKYダイオード、CoolSiCハイブリッドモジュール、CoolSiC MOSFETモジュール、ディスクリート部品、及び炭化ケイ素デバイスを駆動するためのEiceDRIVER™ ゲートドライバICが含まれています。

Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes

Infineon Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes deliver market-leading efficiency at an attractive cost point. Infineon’s proprietary diffusion soldering process, already introduced with Generation 3, is now combined with a new, more compact design as well as the latest advancements in thin wafer technology, bringing improved thermal characteristics and lower Figures of Merit (Q_c x V_f).

パワーの違いを体験する

インフィニオンは、パワー半導体市場のリーダーです。20年以上の経験を持ち、画期的なCoolMOS™ スーパージャンクションMOSFETテクノロジーの革新者であるInfineonは、電源管理分野での先駆者としての地位を維持しています。お客様は、業界で最も幅広いシリコンベースのSJ MOSFETポートフォリオから、個々の設計およびシステム要件に応じて選択できます。主要な3つの電源テクノロジーをすべて網羅している数少ないメーカーの一つとして、Infineonは革新的なワイドバンドギャップ（WBG）製品をこのポートフォリオに追加しています。この製品には、炭化ケイ素ベースのCoolSiC™ MOSFET、対応するダイオード、および窒化ガリウムベースのCoolGaN™ e-mode HEMTが含まれています。優れたコストパフォーマンスから比類のない堅牢性、そして最高クラスのデバイスまで、さまざまなソリューションが提供されています。これにより、顧客はより効率的で環境に優しく、持続可能なアプリケーションを構築できます。