IF170AST3

Name: InterFET IF170AST3
Brand: InterFET
SKU: 106-IF170AST3
Price: 1008 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

106-IF170AST3

メーカ番号：

IF170AST3

メーカ：

InterFET

詳細：

JFET JFET N-Channel -30V Low Noise

データシート:

IF170AST3 データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	InterFET
製品カテゴリー:	JFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOT-23-3
トランジスタ極性:	N-Channel
構成:	Single
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	10 V
Vgs - ゲート - ソース間破壊電圧:	- 30 V
ゲート - ソース間カットオフ電圧:	- 2 V
Vgs=0のドレイン - ソース電流:	6.5 mA
Id - 連続ドレイン電流:	10 mA
Pd - 電力損失:	300 mW
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 135 C
シリーズ:	IF170A
パッケージ化:	Bulk
ブランド:	InterFET
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	14 mS
製品タイプ:	JFETs
工場パックの数量:	25
サブカテゴリ:	Transistors

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選択した属性: 0

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データシート

IF170AST3 データシート (PDF)

Models

IF170AST3 Symbol & Footprint by SnapMagic

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: アメリカ
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

IF170x N-Channel JFETs

InterFET IF170x N-Channel JFETs are designed for sensitive amplifier stages for mid-frequencies designs. These JFETs feature 1nV/√Hz typical low noise voltage, 22mS typical high gain, -30V reverse gate-source and gate-drain voltage, and 750fA typical @10V low gate leakage. The IF170x n-channel JFETs offer high radiation tolerance and a -65°C to 175°C operating junction temperature range. These JFETs are RoHS, REACH, and CMR compliant and available in SMT, TH, and bare die packages. Typical applications include amplifiers, oscillators, voltage regulators, noise generators, satellites, medical, signal mixers, headphone amplifiers, audio filters, ultrasound equipment, communications, medical imaging systems, and military.