IKW30N65ET7XKSA1

Infineon Technologies
726-IKW30N65ET7XKSA1
IKW30N65ET7XKSA1

メーカ：

詳細：
IGBT 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
Infineon Technologies IKW30N65ET7XKSA1の詳細を読む

在庫状況

在庫：
0

この製品は入荷待ちとして購入することができます。

取寄中:
1,200
予想2027/03/25
1,200
予想2027/04/01
工場リードタイム：
36
週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
この製品はリードタイムが長いと報告されています。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥924.2 ¥924
¥606.4 ¥6,064
¥451.5 ¥45,150
¥378.2 ¥181,536

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.35 V
- 20 V, 20 V
60 A
188 W
- 40 C
+ 175 C
IGBT7 T7
Tube
ブランド: Infineon Technologies
ゲート - エミッタ リーク電流: 100 nA
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 240
サブカテゴリ: IGBTs
トレードネーム: TRENCHSTOP
別の部品番号: IKW30N65ET7 SP005348289
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

データシート

Product Catalogs

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

コンプライアンスコード
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
ドイツ
組立原産国:
中国
拡散国:
ドイツ
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

低損失デュオパックIGBT

Infineon Technologies低損失デュオパックIGBTは、堅牢な湿度設計になっており、Trenchstop™およびFieldstop™テクノロジー技術が活用されています。低損失デュオパックIGBTは、非常にソフトな高速リカバリ逆並列ダイオード、短テール電流、非常に低いVCEsatが特徴です。

IGBT7ディスクリート

インフィニオン (Infineon) Technologies IGBT7 ディスクリートは、マイクロパターン トレンチ技術によって開発された第7世代のTRENCHSTOP™ IGBTです。高度技術によって、比類のない制御と性能を実現しており、アプリケーションでの大幅な損失低減、効率性の向上、電力密度の増大がもたらされています。

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。