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IKW30N65ET7XKSA1

Name: Infineon IKW30N65ET7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW30N65ET7XKSA1
Price: 807 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-IKW30N65ET7XKSA1

メーカ番号：

IKW30N65ET7XKSA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

IGBT 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

データシート:

IKW30N65ET7XKSA1 データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
パッケージ/ケース:	TO-247-3
取り付け様式:	Through Hole
構成:	Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	650 V
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	1.35 V
最大ゲートエミッタ電圧:	- 20 V, 20 V
25 Cでのコレクターの直流:	60 A
Pd - 電力損失:	188 W
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	IGBT7 T7
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Infineon Technologies
ゲート - エミッタリーク電流:	100 nA
製品タイプ:	IGBT Transistors
工場パックの数量:	240
サブカテゴリ:	IGBTs
トレードネーム:	TRENCHSTOP
別の部品番号:	IKW30N65ET7 SP005348289

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データシート

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Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: ドイツ
組立原産国:: 中国
拡散国:: ドイツ

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

低損失デュオパックIGBT

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IGBT7ディスクリート

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