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IKY75N120CH7XKSA1

Name: Infineon IKY75N120CH7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKY75N120CH7XKSA
Price: 1257 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-IKY75N120CH7XKSA

メーカ番号：

IKY75N120CH7XKSA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

IGBT 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS 4pin package

データシート:

IKY75N120CH7XKSA1 データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	IGBT
RoHS:
最大ゲートエミッタ電圧:	- 20 V, 20 V
シリーズ:	IGBT7 H7
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Infineon Technologies
製品タイプ:	IGBT Transistors
工場パックの数量:	240
サブカテゴリ:	IGBTs
トレードネーム:	TRENCHSTOP
別の部品番号:	IKY75N120CH7 SP005578297

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データシート

IKY75N120CH7XKSA1 データシート (PDF)

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: ドイツ
組立原産国:: 中国
拡散国:: ドイツ

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7 ディスクリートトランジスタ

インフィニオン (Infineon) 1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7ディスクリートトランジスタは、マイクロパターントレンチ技術で設計された、第7^世代の1200V TRENCHSTOP™ IGBTです。これらのIGBTディスクリートは、高レベルの制御性、低導通ロス、低スイッチングロス、改善されたEMI性能、過酷な環境条件下での湿度に対する堅牢性の向上提供します。IGBT7 H7ディスクリートトランジスタは、優れたスイッチング挙動を維持しながら低ゲート抵抗（最低5Ω）を選択できます。これらのトランジスタは、急速EV充電、産業用加熱および溶接、無停電電源装置（UPS）アプリケーションで使用されます。

IGBT7ディスクリート

インフィニオン (Infineon) Technologies IGBT7 ディスクリートは、マイクロパターントレンチ技術によって開発された第7世代のTRENCHSTOP™ IGBTです。高度技術によって、比類のない制御と性能を実現しており、アプリケーションでの大幅な損失低減、効率性の向上、電力密度の増大がもたらされています。

650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7ディスクリートトランジスタ

Infineon Technologies 650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7ディスクリートトランジスタは、高度技術が特徴で、効率的なエネルギーアプリケーションの需要を満たしています。Infineon Technologies 650Vトランジスタは、正確な制御と高性能を目的とした最先端のマイクロパターントレンチ設計が特徴です。この設計により、ストリング・インバーター、エネルギー貯蔵システム（ESS）、EV充電、産業用UPS、溶接などといった、さまざまな産業において、大幅な損失の削減、効率性の改善、電力密度の向上がもたらされます。