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IMYH200R012M1HXKSA1

Name: Infineon IMYH200R012M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMYH200R012M1HXK
Price: 15181 JPY
Availability: OutOfStock

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製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-IMYH200R012M1HXK

メーカ番号：

IMYH200R012M1HXKSA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package

データシート:

IMYH200R012M1HXKSA1 データシート (PDF)

ECADモデル:

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Infineon Technologies IMYH200R012M1HXKSA1の詳細を読む

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-4
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	123 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	16.5 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.5 V
Qg - ゲート電荷:	246 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	552 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	CoolSIC
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
下降時間:	24 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	30 S
パッケージ化:	Tube
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	13 ns
工場パックの数量:	240
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタ極性:	N-Channel
標準電源切断遅延時間:	50 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	16 ns
別の部品番号:	IMYH200R012M1H SP005427368

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選択した属性: 0

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データシート

IMYH200R012M1HXKSA1 データシート (PDF)

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: オーストリア
組立原産国:: マレーシア
拡散国:: オーストリア

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

2000V CoolSiC™ MOSFET

Infineon Technologies 2000V CoolSiC ™ MOSFETは、トレンチMOSFETで、TO-247PLUS-4-HCCパッケージに収められています。これらのMOSFETは、要求の厳しい高電圧およびスイッチング周波数条件の下であっても、システムの信頼性を犠牲にすることなく電力密度を増大させるように設計されています。CoolSiC ™テクノロジーの低電力損失によって、.XT相互接続テクノロジーを使用した信頼性の向上が実現しており、さまざまなアプリケーションで最高の効率を実現できます。2000V MOSFETは、4.5Vのベンチマークゲート閾値電圧が特徴で、スイッチング損失が非常に低く抑えられています。一般的なアプリケーションには、エネルギー貯蔵システム、EV充電、ストリングインバータ、ソーラーパワーオプティマイザがあります。