IMYH200R100M1HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMYH200R100M1HXK
IMYH200R100M1HXKSA1

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package

データシート:
ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
2 kV
26 A
131 mOhms
- 10 V, + 23 V
3.5 V
55 nC
- 55 C
+ 150 C
217 W
Enhancement
CoolSIC
ブランド: Infineon Technologies
構成: Single
下降時間: 5 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 5 S
パッケージ化: Tube
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 3 ns
工場パックの数量: 240
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 21 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 2 ns
別の部品番号: IMYH200R100M1H SP005427376
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選択した属性: 0

データシート

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コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
オーストリア
組立原産国:
メキシコ
拡散国:
オーストリア
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

2000V CoolSiC™ MOSFET

Infineon Technologies 2000V CoolSiC ™ MOSFETは、トレンチMOSFETで、TO-247PLUS-4-HCCパッケージに収められています。これらのMOSFETは、要求の厳しい高電圧およびスイッチング周波数条件の下であっても、システムの信頼性を犠牲にすることなく電力密度を増大させるように設計されています。CoolSiC ™テクノロジーの低電力損失によって、.XT相互接続テクノロジーを使用した信頼性の向上が実現しており、さまざまなアプリケーションで最高の効率を実現できます。2000V MOSFETは、4.5Vのベンチマークゲート閾値電圧が特徴で、スイッチング損失が非常に低く抑えられています。一般的なアプリケーションには、エネルギー貯蔵システム、EV充電、ストリングインバータ、ソーラーパワーオプティマイザがあります。

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