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IMZA65R107M1HXKSA1

Name: Infineon IMZA65R107M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZA65R107M1HXKS
Price: 1022 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-IMZA65R107M1HXKS

メーカ番号：

IMZA65R107M1HXKSA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

ライフサイクル:

製造中止:

メーカーにてモデル廃止予定のため、製造中止となります。

データシート:

IMZA65R107M1HXKSA1 データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 437

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現在のパーツと比較

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	20 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	142 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 5 V, + 23 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	5.7 V
Qg - ゲート電荷:	15 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	75 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	CoolSiC
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
下降時間:	6.4 ns
パッケージ化:	Tube
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	7.4 ns
シリーズ:	IMZA65R107
工場パックの数量:	240
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
標準電源切断遅延時間:	12.2 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	6.6 ns
別の部品番号:	IMZA65R107M1H SP005398435
単位重量:	6 g

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選択した属性: 0

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Product Catalogs

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: オーストリア
組立原産国:: 中国
拡散国:: オーストリア

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

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