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IPB095N20NM6ATMA1

Name: Infineon IPB095N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB095N20NM6ATMA
Price: 969 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-IPB095N20NM6ATMA

メーカ番号：

IPB095N20NM6ATMA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

ライフサイクル:

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データシート:

IPB095N20NM6ATMA1 データシート (PDF)

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数量	ユニット価格	合計額
	¥969.6	¥970
	¥676.8	¥6,768
	¥547.2	¥54,720
	¥489.6	¥244,800
完全リール（1000の倍数で注文）
	¥414.4	¥414,400

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PG-TO263-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	200 V
Id - 連続ドレイン電流:	116 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	8.7 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.5 V
Qg - ゲート電荷:	53 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	300 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	OptiMOS
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
下降時間:	11 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	23 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	30 ns
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	28 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	15 ns
別の部品番号:	IPB095N20NM6 SP006070075

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 6 200VパワーMOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200VパワーMOSFETは、Nチャンネル通常レベルMOSFETで、PG-TO263-3、PG-TO220-3、PG-HDSOP-16パッケージでご用意があります。これらのMOSFETは、優れたゲート充電とR_DS(on) の製品（FOM）、非常に低い逆回復充電（Q_rr）、低オン抵抗R_DS(on) が特徴です。OptiMOS™ 6 200V MOSFETは、175°Cで動作します。これらのMOSFETは、ハロゲンフリーでIEC61249-2-21に準拠し、J-STD-020規格の湿度感受性レベル（MSL1）等級に準拠しています。OptiMOS™ 6 200V MOSFETは、再生可能エネルギー、モーター制御、オーディオアンプ、産業用アプリケーションに最適です。

OptiMOS™ 6パワーMOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™6パワーMOSFETは、次世代の最先端のイノベーション、およびベストインクラスの性能を備えています。OptiMOS 6ファミリには、性能の大幅なメリットを実現できる薄型ウェハ技術が活用されています。代替製品と比較すると、OptiMOS 6パワーMOSFETは、30%のR_DS（ON）を削減しており、同期整流用に最適化されています。