IPT030N12N3GATMA1

Infineon Technologies
726-IPT030N12N3GATM1
IPT030N12N3GATMA1

メーカ：

詳細：
MOSFET IFX FET >100-150V

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 2,034

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工場リードタイム：
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（2000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥1,077.4 ¥1,077
¥676.5 ¥6,765
¥524.9 ¥52,490
¥487.4 ¥243,700
¥454.8 ¥454,800
完全リール（2000の倍数で注文）
¥454.8 ¥909,600
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
120 V
237 A
3 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
158 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Infineon Technologies
製品タイプ: MOSFETs
工場パックの数量: 2000
サブカテゴリ: Transistors
別の部品番号: IPT030N12N3 G SP005348026
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選択した属性: 0

データシート

Product Catalogs

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コンプライアンスコード
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
オーストリア
組立原産国:
マレーシア
拡散国:
オーストリア
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

OptiMOS™ 3 NチャネルMOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 3 NチャンネルMOSFETは、低オン状態抵抗が特徴で、SuperSO8リードレス・パッケージに収められています。OptiMOS 3 MOSFETは、産業、コンシューマー、電気通信の各アプリケーションにおける電力密度を最大50%増加させます。OptiMOS™ 3は、SuperSO8およびShrink SuperSO8（S3O8）の各パッケージに収められた40V、60V、80V Nチャンネル MOSFETでご用意があります。標準トランジスタ外形（TO）パッケージと比較して、SuperSO8は電力密度が最大50%増加しています。

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