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IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

Name: Infineon IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQEH80NE2LM7UCGS
Price: 521 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-IQEH80NE2LM7UCGS

メーカ番号：

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

ライフサイクル:

新製品:

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データシート:

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	25 V
Id - 連続ドレイン電流:	282 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	800 uOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	16 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2 V
Qg - ゲート電荷:	17.2 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	107 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	OptiMOS
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
下降時間:	2.7 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	50 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	1.4 ns
シリーズ:	OptiMOS 7
工場パックの数量:	6000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	20.1 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	5.4 ns
別の部品番号:	IQEH80NE2LM7UCGSC SP006008718

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データシート

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 データシート (PDF)

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: オーストリア
組立原産国:: マレーシア
拡散国:: オーストリア

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

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