IS42S16400N-6BLI

ISSI
870-IS42S16400N-6BLI
IS42S16400N-6BLI

メーカ：

詳細：
DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT

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合計 額:
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数量 ユニット価格
合計 額
¥960.1 ¥960
¥893.2 ¥8,932
¥867.2 ¥21,680
¥828 ¥41,400
¥808.5 ¥80,850

製品属性 属性値 属性の選択
ISSI
製品カテゴリー: DRAM
RoHS:  
SDRAM
64 Mbit
16 bit
166 MHz
BGA-54
4 M x 16
5.4 ns
3 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
ブランド: ISSI
水分感度: Yes
取り付け様式: SMD/SMT
製品タイプ: DRAM
工場パックの数量: 348
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
供給電流 - 最大: 80 mA
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選択した属性: 0

データシート

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コンプライアンスコード
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
台湾
組立原産国:
入手不可
拡散国:
台湾
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM

ISSI 3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM provides a wide selection of SDR SDRAM with densities from 16Mbit to 512Mbit in 1Mx16, 4Mx16, and 8Mx16 organizations. Each device features a single supply voltage (3.3V +/-0.3V), standard SDRAM clock timing, LVTTL compatible inputs, programmable burst length of 1, 2, 4, 8, or full page, auto-refresh and self-refresh modes. ISSI 3.3V SDR Synchronous DRAM has a programmable CAS latency of 2 or 3. Typical applications for these devices include wireless access points, base stations, routers, network storage, energy management, industrial controls, car infotainment, and automotive telematics.

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