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IS42S16400N-6BLI

Name: ISSI IS42S16400N-6BLI
Brand: ISSI
SKU: 870-IS42S16400N-6BLI
Price: 1199 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

870-IS42S16400N-6BLI

メーカ番号：

IS42S16400N-6BLI

メーカ：

ISSI

詳細：

DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT

データシート:

IS42S16400N-6BLI データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ISSI
製品カテゴリー:	DRAM
RoHS:
タイプ:	SDRAM
メモリサイズ:	64 Mbit
データバス幅:	16 bit
最高クロック周波数:	166 MHz
パッケージ/ケース:	BGA-54
編成:	4 M x 16
アクセス時間:	5.4 ns
供給電圧 - 最小:	3 V
供給電圧 - 最大:	3.6 V
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 85 C
ブランド:	ISSI
水分感度:	Yes
取り付け様式:	SMD/SMT
製品タイプ:	DRAM
工場パックの数量:	348
サブカテゴリ:	Memory & Data Storage
供給電流 - 最大:	80 mA

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選択した属性: 0

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データシート

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コンプライアンスコード

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 台湾
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 台湾

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM

ISSI 3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM provides a wide selection of SDR SDRAM with densities from 16Mbit to 512Mbit in 1Mx16, 4Mx16, and 8Mx16 organizations. Each device features a single supply voltage (3.3V +/-0.3V), standard SDRAM clock timing, LVTTL compatible inputs, programmable burst length of 1, 2, 4, 8, or full page, auto-refresh and self-refresh modes. ISSI 3.3V SDR Synchronous DRAM has a programmable CAS latency of 2 or 3. Typical applications for these devices include wireless access points, base stations, routers, network storage, energy management, industrial controls, car infotainment, and automotive telematics.