IS42S86400F-6TLI

ISSI
870-42S86400F6TLI
IS42S86400F-6TLI

メーカ：

詳細：
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 194

在庫：
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工場リードタイム：
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥2,891.6 ¥2,892
¥2,681.4 ¥26,814
¥2,598.2 ¥64,955
¥2,476 ¥123,800
¥1,600.7 ¥172,876
¥1,599 ¥345,384

製品属性 属性値 属性の選択
ISSI
製品カテゴリー: DRAM
RoHS:  
SDRAM
512 Mbit
8 bit
167 MHz
TSOP-II-54
64 M x 8
6 ns
3 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
IS42S86400F
Reel
ブランド: ISSI
水分感度: Yes
取り付け様式: SMD/SMT
製品タイプ: DRAM
工場パックの数量: 108
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
供給電流 - 最大: 180 mA
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選択した属性: 0

データシート

EOL

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コンプライアンスコード
JPHTS:
854232021
CNHTS:
8542320000
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320028
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
台湾
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM

ISSI 3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM provides a wide selection of SDR SDRAM with densities from 16Mbit to 512Mbit in 1Mx16, 4Mx16, and 8Mx16 organizations. Each device features a single supply voltage (3.3V +/-0.3V), standard SDRAM clock timing, LVTTL compatible inputs, programmable burst length of 1, 2, 4, 8, or full page, auto-refresh and self-refresh modes. ISSI 3.3V SDR Synchronous DRAM has a programmable CAS latency of 2 or 3. Typical applications for these devices include wireless access points, base stations, routers, network storage, energy management, industrial controls, car infotainment, and automotive telematics.

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