IS66WVE2M16EBLL-70BLI

Name: ISSI IS66WVE2M16EBLL-70BLI
Brand: ISSI
SKU: 870-66E2M16EBLL70BLI
Price: 1056 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

870-66E2M16EBLL70BLI

メーカ番号：

IS66WVE2M16EBLL-70BLI

メーカ：

ISSI

詳細：

SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

データシート:

IS66WVE2M16EBLL-70BLI データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ISSI
製品カテゴリー:	SRAM
RoHS:
メモリサイズ:	32 Mbit
編成:	2 M x 16
アクセス時間:	70 ns
インタフェースタイプ:	Parallel
供給電圧 - 最大:	3.6 V
供給電圧 - 最小:	2.7 V
供給電流 - 最大:	30 mA
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 85 C
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TFBGA-48
ブランド:	ISSI
メモリタイプ:	SDR
水分感度:	Yes
製品タイプ:	SRAM
シリーズ:	IS66WVE2M16EBLL
工場パックの数量:	480
サブカテゴリ:	Memory & Data Storage
タイプ:	Asynchronous
単位重量:	86 mg

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データシート

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 854232021
CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
KRHTS:: 8542321010
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 台湾
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 台湾

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

疑似SRAM/CellularRAM

ISSI 疑似SRAM/CellularRAMデバイスは、DRAMとSRAMの両方の優れた機能を備えています。ISSI PSRAM/CellularRAMは、SRAMに似たアーキテクチャをしています。DRAMとは異なり、物理的リフレッシュを必要としない隠されたリフレッシュ機能があります。CellularRAMデバイスは、CellularRAM規格に準拠して設計され、CRAM 1.5とCRAM 2.0があります。