IS66WVR4M8ALL-104NLI

Name: ISSI IS66WVR4M8ALL-104NLI
Brand: ISSI
SKU: 870-6WVR4M8ALL104NLI
Price: 922 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

870-6WVR4M8ALL104NLI

メーカ番号：

IS66WVR4M8ALL-104NLI

メーカ：

ISSI

詳細：

DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ISSI
製品カテゴリー:	DRAM
RoHS:
タイプ:	PSRAM (Pseudo SRAM)
メモリサイズ:	32 Mbit
データバス幅:	8 bit
最高クロック周波数:	104 MHz
パッケージ/ケース:	SOIC-8
編成:	4 M x 8
アクセス時間:	7 ns
供給電圧 - 最小:	1.65 V
供給電圧 - 最大:	1.95 V
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 85 C
ブランド:	ISSI
水分感度:	Yes
取り付け様式:	SMD/SMT
製品タイプ:	DRAM
工場パックの数量:	100
サブカテゴリ:	Memory & Data Storage
供給電流 - 最大:	15 mA

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データシート

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コンプライアンスコード

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

原産地分類

原産国:: 台湾
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 台湾

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

疑似SRAM/CellularRAM

ISSI 疑似SRAM/CellularRAMデバイスは、DRAMとSRAMの両方の優れた機能を備えています。ISSI PSRAM/CellularRAMは、SRAMに似たアーキテクチャをしています。DRAMとは異なり、物理的リフレッシュを必要としない隠されたリフレッシュ機能があります。CellularRAMデバイスは、CellularRAM規格に準拠して設計され、CRAM 1.5とCRAM 2.0があります。