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ISC073N12LM6ATMA1

Name: Infineon ISC073N12LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC073N12LM6ATMA
Price: 555 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-ISC073N12LM6ATMA

メーカ番号：

ISC073N12LM6ATMA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

MOSFET IFX FET >100-150V

データシート:

ISC073N12LM6ATMA1 データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 6,206

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パッケージング:

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カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥555.8	¥556
	¥361.9	¥3,619
	¥255.9	¥25,590
	¥207	¥103,500
	¥203.8	¥203,800
	¥195.6	¥489,000
完全リール（5000の倍数で注文）
	¥190.7	¥953,500

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TDSON-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	120 V
Id - 連続ドレイン電流:	86 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	7.3 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.2 V
Qg - ゲート電荷:	14.4 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	125 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	OptiMOS
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
下降時間:	5 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	45 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	3 ns
工場パックの数量:	5000
サブカテゴリ:	Transistors
標準電源切断遅延時間:	18 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	7 ns
別の部品番号:	ISC073N12LM6 SP005586060

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選択した属性: 0

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データシート

ISC073N12LM6ATMA1 データシート (PDF)

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: ドイツ
組立原産国:: 中国
拡散国:: ドイツ

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

OptiMOS™ 6パワーMOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™6パワーMOSFETは、次世代の最先端のイノベーション、およびベストインクラスの性能を備えています。OptiMOS 6ファミリには、性能の大幅なメリットを実現できる薄型ウェハ技術が活用されています。代替製品と比較すると、OptiMOS 6パワーMOSFETは、30%のR_DS（ON）を削減しており、同期整流用に最適化されています。

OptiMOS™ 3 NチャネルMOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 3 NチャンネルMOSFETは、低オン状態抵抗が特徴で、SuperSO8リードレス・パッケージに収められています。OptiMOS 3 MOSFETは、産業、コンシューマー、電気通信の各アプリケーションにおける電力密度を最大50%増加させます。OptiMOS™ 3は、SuperSO8およびShrink SuperSO8（S3O8）の各パッケージに収められた40V、60V、80V Nチャンネル MOSFETでご用意があります。標準トランジスタ外形（TO）パッケージと比較して、SuperSO8は電力密度が最大50%増加しています。