IXSA20N120L2-7TR

IXYS
747-IXSA20N120L2-7TR
IXSA20N120L2-7TR

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET SiC MOSFET in TO263

ライフサイクル:
新製品:
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800
予想2026/02/16
工場リードタイム：
27
週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（800の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥988.8 ¥989
¥758.4 ¥7,584
¥612.8 ¥61,280
¥544 ¥272,000
完全リール（800の倍数で注文）
¥465.6 ¥372,480
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
IXYS
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
20 A
208 mOhms
- 5 V, 20 V
4.5 V
29 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
ブランド: IXYS
構成: Single
下降時間: 13 ns
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
パッケージ化: MouseReel
製品: SiC MOSFETS
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 10.4 ns
シリーズ: IXSxNxL2Kx
工場パックの数量: 800
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 7 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 2.4 ns
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IXSxNxL2Kx炭化ケイ素（SiC）MOSFET

IXYS IXSxNxL2Kxシリコンカーバイド(SiC) MOSFETには、高阻止電圧があり、on状態抵抗[RDS (ON)]が低く抑えられています。オン状態抵抗は25mΩ ~ 160mΩで、連続ドレイン電流(ID)は20A ~ 111Aです。これらのデバイスには、低容量の高速スイッチングが備わっており、超高速真性ボディダイオードがあります。これらは、650Vまたは1200Vドレイン-ソース間電圧（VDSS）定格でご用意があります。IXYS IXSxNxL2Kx炭化ケイ素（SiC）MOSFETは、3つのパッケージ（TO-263-7L、TOLL-8、TO-247-4L）で販売されています。

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