IXYA20N120A4HV

Name: IXYS IXYA20N120A4HV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXYA20N120A4HV
Price: 1408 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

747-IXYA20N120A4HV

メーカ番号：

IXYA20N120A4HV

メーカ：

IXYS

詳細：

IGBT TO263 1200V 20A XPT

データシート:

IXYA20N120A4HV データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
パッケージ/ケース:	TO-263HV-3
取り付け様式:	SMD/SMT
構成:	Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	1.2 kV
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	1.9 V
最大ゲートエミッタ電圧:	- 20 V, 20 V
25 Cでのコレクターの直流:	80 A
Pd - 電力損失:	375 W
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	Trench
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
連続コレクタ電流 IC 最大値:	135 A
ゲート - エミッタリーク電流:	100 nA
製品タイプ:	IGBT Transistors
工場パックの数量:	50
サブカテゴリ:	IGBTs
トレードネーム:	XPT
単位重量:	2.500 g

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 韓国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

650V XPT™ High Speed Trench IGBTs

IXYS 650V XPT™ High Speed Trench IGBTs are designed to minimize conduction and switching losses, especially in hard-switching applications. IXYS 650V XPT High Speed Trench IGBTs are optimized for different switching speed ranges (up to 60kHz). Devices co-packed with IXYS ultra-fast Sonic-FRD™ diodes are also available. The current ratings of devices in this product family range from 30A to 200A at a high temperature of +110°C. These devices feature reduced thermal resistance, low energy losses, fast switching, low tail current, and high current densities. In addition, they display exceptional ruggedness under short-circuit conditions - a 10μs Short Circuit Safe Operating Area (SCSOA).

医療機器ソリューション

Littelfuse医療機器ソリューションは、信頼性の高い動作と機器の稼働時間を維持するために必要となる、堅牢に設計された高品質のコンポーネントを実現しています。これらのソリューションには、人工呼吸器、除細動器、超音波があります。Littelfuse医療機器ソリューションは、生命維持システム、患者ケア機器、患者モニタリングシステムに最適です。

AC/DC電源

リテルヒューズ (Littelfuse) AC/DC電源は、電子設計で一般的に使用されているビルディングブロックです。これらの電源ビルディングブロックの部品は、信頼性が高く長持ちする必要があります。Littelfuseは、これらの要件に適合する広い範囲の製品を提供しています。このコンポーネントのポートフォリオは、過電流と過電圧保護、電力段、出力保護をカバーしています。代表的なアプリケーションforリテルヒューズ (Littelfuse)AC/直流電源Supply products include自動車 solar, industrial, manufacturing, and more.

Trench 650V～1200V XPT™ GenX4™ IGBT

IXYS Trench 650V～1200V XPT™ GenX4™ IGBTは、独自のXPT薄ウェハー技術および最先端の第4世代 (GenX4™) Trench IGBTプロセスを使用して開発されました。これらの絶縁型ゲートバイポーラトランジスタは、熱抵抗の削減、低エネルギー損失、高速スイッチング、低テール電流、高電流密度が特長です。デバイスには、スイッチング時および短絡状態の下での比類のない耐久性があります。

IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ IGBT

IXYS IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ IGBTは、XPT薄型ウエハー技術が特徴の第4世代Trench IGBTです。これらの超低V_SAT IGBTトランジスタは、最大5kHzのスイッチング周波数に対応しており、低導通損失を目的に最適化されています。IXYxN120A IGBTには、高電力密度、低ゲートドライブ要件、-55°C～+175°Cの動作温度といった利点があります。これらのトランジスタは、TO-247およびTO-269HVパッケージに収められており、それぞれ1,200Vの電圧および55Aまたは85Aの電流が特徴です。IXYxN120A IGBTは、パワーインバータ、モータドライブ、PFC回路、バッテリ充電器、溶接機、ランプバラスト、突入電流保護回路といったアプリケーションで使用されます。