IXYK110N120A4

IXYS
747-IXYK110N120A4
IXYK110N120A4

メーカ:

詳細:
IGBT TO264 1200V 110A GENX4

ECADモデル:
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¥-
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥4,347.2 ¥4,347
¥2,880 ¥28,800
¥2,764.8 ¥276,480
¥2,662.4 ¥1,331,200
2,500 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
IXYS
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
Si
TO-264-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.8 V
- 20 V, 20 V
375 A
1.36 kW
- 55 C
+ 175 C
Trench
Tube
ブランド: IXYS
連続コレクタ電流 IC 最大値: 900 A
ゲート - エミッタ リーク電流: 200 nA
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 25
サブカテゴリ: IGBTs
トレードネーム: XPT
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選択した属性: 0

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JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IXYx110N120A4 1,200V XPT™ GenX4™ Trench IGBT

IXYS IXYx110N120A4 1,200V XPT™ GenX4™ Trench IGBTは、超低導通損失VCE (sat) および最高5kHzまでのスイッチング周波数向けに最適化された高ゲインIGBTです。薄型ウエハー技術と改善されたプロセスによって低ゲート電荷QGが可能になるため、ゲート電流要件が小さくなります。高ゲインによってサージ電流能力が促進され、VCE (sat) の正の熱係数によって並列接続が簡素化されます。Rth (j-c) は熱抵抗が低いため、熱に関する設計上の問題が緩和されます。

650V XPT™ High Speed Trench IGBTs

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Trench 650V~1200V XPT™ GenX4™ IGBT

IXYS Trench 650V~1200V XPT™ GenX4™ IGBTは、独自のXPT薄ウェハー技術および最先端の第4世代 (GenX4™) Trench IGBTプロセスを使用して開発されました。これらの絶縁型ゲートバイポーラトランジスタは、熱抵抗の削減、低エネルギー損失、高速スイッチング、低テール電流、高電流密度が特長です。デバイスには、スイッチング時および短絡状態の下での比類のない耐久性があります。

IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ IGBT

IXYS IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ IGBTは、XPT薄型ウエハー技術が特徴の第4世代Trench IGBTです。これらの超低VSAT IGBTトランジスタは、最大5kHzのスイッチング周波数に対応しており、低導通損失を目的に最適化されています。IXYxN120A IGBTには、高電力密度、低ゲートドライブ要件、-55°C~+175°Cの動作温度といった利点があります。これらのトランジスタは、TO-247およびTO-269HVパッケージに収められており、それぞれ1,200Vの電圧および55Aまたは85Aの電流が特徴です。IXYxN120A IGBTは、パワーインバータ、モータドライブ、PFC回路、バッテリ充電器、溶接機、ランプバラスト、突入電流保護回路といったアプリケーションで使用されます。

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