KTDM4G3C618BGIEAT

Name: SMART KTDM4G3C618BGIEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G3C618BGIEAT
Price: 5378 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

473-M4G3C618BGIEAT

メーカ番号：

KTDM4G3C618BGIEAT

メーカ：

SMARTsemi

詳細：

DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 256MX16 1866Mbps 1.35V/1.5V 96-FBGA Industrial

データシート:

KTDM4G3C618BGIEAT データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

SMARTsemi KTDM4G3C618BGIEATの詳細を読む

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	SMART
製品カテゴリー:	DRAM
RoHS:
タイプ:	SDRAM - DDR3L
メモリサイズ:	4 Gbit
データバス幅:	16 bit
最高クロック周波数:	933 MHz
パッケージ/ケース:	FBGA-96
編成:	256 M x 16
供給電圧 - 最小:	1.283 V
供給電圧 - 最大:	1.575 V
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 85 C
シリーズ:	KTDM
パッケージ化:	Tray
ブランド:	SMARTsemi
水分感度:	Yes
取り付け様式:	SMD/SMT
製品タイプ:	DRAM
工場パックの数量:	198
サブカテゴリ:	Memory & Data Storage

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

KTDM4G3C618BGIEAT データシート (PDF)

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 台湾
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

DDR3 Memory ICs

SMARTsemi DDR3 Memory ICs feature a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The ICs achieve high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3(L) DRAM key features, and all control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks.