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KTDM4G3C818BGIEAT

Name: SMART KTDM4G3C818BGIEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G3C818BGIEAT
Price: 5522 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

473-M4G3C818BGIEAT

メーカ番号：

KTDM4G3C818BGIEAT

メーカ：

SMARTsemi

詳細：

DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Industrial

データシート:

KTDM4G3C818BGIEAT データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	SMART
製品カテゴリー:	DRAM
RoHS:
タイプ:	SDRAM - DDR3L
メモリサイズ:	4 Gbit
データバス幅:	8 bit
最高クロック周波数:	933 MHz
パッケージ/ケース:	FBGA-78
編成:	512 M x 8
供給電圧 - 最小:	1.283 V
供給電圧 - 最大:	1.575 V
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 85 C
シリーズ:	KTDM
パッケージ化:	Tray
ブランド:	SMARTsemi
水分感度:	Yes
取り付け様式:	SMD/SMT
製品タイプ:	DRAM
工場パックの数量:	210
サブカテゴリ:	Memory & Data Storage

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選択した属性: 0

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データシート

KTDM4G3C818BGIEAT データシート (PDF)

コンプライアンスコード

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 台湾
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

DDR3 Memory ICs

SMARTsemi DDR3 Memory ICs feature a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The ICs achieve high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3(L) DRAM key features, and all control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks.