KTDM4G4B626BGCEAT

Name: SMART KTDM4G4B626BGCEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G4B626BGCEAT
Price: 5524 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

473-M4G4B626BGCEAT

メーカ番号：

KTDM4G4B626BGCEAT

メーカ：

SMARTsemi

詳細：

DRAM DRAM DDR4 4GB 256MX16 2666Mbps 1.2V 96-FBGA Commercial

データシート:

KTDM4G4B626BGCEAT データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

SMARTsemi KTDM4G4B626BGCEATの詳細を読む

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	SMART
製品カテゴリー:	DRAM
RoHS:
タイプ:	SDRAM - DDR4
メモリサイズ:	4 Gbit
データバス幅:	16 bit
最高クロック周波数:	1.333 GHz
パッケージ/ケース:	FBGA-96
編成:	256 M x 16
供給電圧 - 最小:	1.14 V
供給電圧 - 最大:	1.26 V
最低動作温度:	0 C
最高動作温度:	+ 85 C
シリーズ:	KTDM
パッケージ化:	Tray
ブランド:	SMARTsemi
水分感度:	Yes
取り付け様式:	SMD/SMT
製品タイプ:	DRAM
工場パックの数量:	198
サブカテゴリ:	Memory & Data Storage

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

KTDM4G4B626BGCEAT データシート (PDF)

コンプライアンスコード

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 台湾
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of V_DD = 1.2V ± 5%, and V_PP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).