KTDM4G4B826BGCEAT

Name: SMART KTDM4G4B826BGCEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G4B826BGCEAT
Price: 1818 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

473-M4G4B826BGCEAT

メーカ番号：

KTDM4G4B826BGCEAT

メーカ：

SMARTsemi

詳細：

DRAM DRAM DDR4 4GB 512MX8 2666Mbps 1.2V 78-FBGA Commercial

データシート:

KTDM4G4B826BGCEAT データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	SMART
製品カテゴリー:	DRAM
RoHS:
タイプ:	SDRAM - DDR4
メモリサイズ:	4 Gbit
データバス幅:	8 bit
最高クロック周波数:	1.333 GHz
パッケージ/ケース:	FBGA-78
編成:	512 M x 8
供給電圧 - 最小:	1.14 V
供給電圧 - 最大:	1.26 V
最低動作温度:	0 C
最高動作温度:	+ 85 C
シリーズ:	KTDM
パッケージ化:	Tray
ブランド:	SMARTsemi
水分感度:	Yes
取り付け様式:	SMD/SMT
製品タイプ:	DRAM
工場パックの数量:	210
サブカテゴリ:	Memory & Data Storage

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選択した属性: 0

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データシート

KTDM4G4B826BGCEAT データシート (PDF)

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 台湾
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of V_DD = 1.2V ± 5%, and V_PP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).