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KTDM8G4B832BGIBCT

Name: SMART KTDM8G4B832BGIBCT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-KTDM8G4B83BGIBCT
Price: 8716 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

473-KTDM8G4B83BGIBCT

メーカ番号：

KTDM8G4B832BGIBCT

メーカ：

SMARTsemi

詳細：

DRAM DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Industrial temp

データシート:

KTDM8G4B832BGIBCT データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	SMART
製品カテゴリー:	DRAM
RoHS:
タイプ:	SDRAM - DDR4
メモリサイズ:	8 Gbit
データバス幅:	8 bit
最高クロック周波数:	1.6 GHz
パッケージ/ケース:	FBGA-78
編成:	1 G x 8
供給電圧 - 最小:	1.14 V
供給電圧 - 最大:	1.26 V
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 85 C
ブランド:	SMARTsemi
水分感度:	Yes
取り付け様式:	SMD/SMT
製品タイプ:	DRAM
サブカテゴリ:	Memory & Data Storage

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選択した属性: 0

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データシート

KTDM8G4B832BGIBCT データシート (PDF)

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: ブラジル
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of V_DD = 1.2V ± 5%, and V_PP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).