MASTERGAN1

Name: STMicroelectronics MASTERGAN1
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-MASTERGAN1
Price: 1910 JPY
Availability: InStock

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製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-MASTERGAN1

メーカ番号：

MASTERGAN1

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

ゲートドライバ High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

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データシート:

MASTERGAN1 データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	ゲートドライバ
RoHS:
製品:	Half-Bridge Drivers
タイプ:	High-Side, Low-Side
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	QFN-31
ドライバ数:	2 Driver
出力数:	1 Output
出力電流:	10 A
供給電圧 - 最小:	4.75 V
供給電圧 - 最大:	9.5 V
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 125 C
シリーズ:	MASTERGAN
パッケージ化:	Tray
ブランド:	STMicroelectronics
開発キット:	EVALMASTERGAN1
水分感度:	Yes
動作供給電流:	680 uA
製品タイプ:	Gate Drivers
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	330 mOhms
シャットダウン:	Shutdown
工場パックの数量:	1560
サブカテゴリ:	PMIC - Power Management ICs
単位重量:	120 mg

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データシート

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PCN

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: タイ
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

MASTERGAN GaNハーフブリッジ高電圧ドライバ

STMicroelectronics MASTERGAN GaNハーフブリッジ高電圧ドライバには、高電力密度電源が実装されており、ハーフブリッジ構成でのゲートドライバと2つのエンハンスメントモードGaNトランジスタの両方が集積されています。統合パワーGaNは、150mΩのR_{DS (ON)} および650Vドレイン・ソース破壊電圧が特徴です。集積ブートストラップダイオードは、組み込みゲートドライバの低圧側に迅速に電源を供給できます。