MASTERGAN1LTR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN1LTR
MASTERGAN1LTR

メーカ：

詳細：
ゲートドライバ 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
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データシート:
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在庫: 1,274

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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,163.8 ¥1,164
¥898.1 ¥8,981
¥832.9 ¥20,823
¥764.5 ¥76,450
¥720.5 ¥720,500
完全リール（3000の倍数で注文）
¥663.4 ¥1,990,200

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: ゲートドライバ
RoHS:  
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
4 Output
17 A
4.75 V
9.5 V
Non-Inverting
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Reel
Cut Tape
ブランド: STMicroelectronics
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: TH
最長電源切断遅延時間: 45 ns
最長電源投入遅延時間: 45 ns
水分感度: Yes
動作供給電流: 10 A
Pd - 電力損失: 40 mW
製品タイプ: Gate Drivers
伝搬遅延 - 最大: 70 ns
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 330 mOhms
シャットダウン: Shutdown
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
技術: GaN
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選択した属性: 0

データシート

PCN

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaNハーフブリッジ高電圧ドライバ

STMicroelectronics MASTERGAN GaNハーフブリッジ高電圧ドライバには、高電力密度電源が実装されており、ハーフブリッジ構成でのゲートドライバと2つのエンハンスメントモードGaNトランジスタの両方が集積されています。統合パワーGaNは、150mΩのRDS (ON) および650Vドレイン・ソース破壊電圧が特徴です。集積ブートストラップダイオードは、組み込みゲートドライバの低圧側に迅速に電源を供給できます。

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