MCGWF60N06YHE3-TP

Name: Micro Commercial Components (MCC) MCGWF60N06YHE3-TP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-MCGWF60N06YHE3
Price: 595 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

833-MCGWF60N06YHE3

メーカ番号：

MCGWF60N06YHE3-TP

メーカ：

Micro Commercial Components (MCC)

詳細：

MOSFET N-CHANNEL MOSFET,DFN3333-8(SWF)

データシート:

MCGWF60N06YHE3-TP データシート (PDF)

ECADモデル:

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	¥595	¥595
	¥386.3	¥3,863
	¥269	¥26,900
	¥218.4	¥109,200
	¥197.2	¥197,200
完全リール（5000の倍数で注文）
	¥197.2	¥986,000

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Micro Commercial Components (MCC)
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DFN-3333-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	60 V
Id - 連続ドレイン電流:	60 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	6 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	34.5 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	60 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Micro Commercial Components (MCC)
構成:	Single
下降時間:	12.4 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	10.6 ns
シリーズ:	MCGWF60N06YHE3
工場パックの数量:	5000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	Split Gate Trench MOSFET
標準電源切断遅延時間:	29.5 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	8.9 ns

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データシート

MCGWF60N06YHE3-TP データシート (PDF)

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

Battery Management System (BMS)

MCC Battery Management System (BMS) Solutions deliver the precision, safety, and efficiency required to support today’s electric vehicles (EVs). As EV adoption accelerates and battery performance becomes a critical differentiator, MCC components enable smarter energy control, longer battery life, and reliable system operation under demanding real-world conditions.

Auto Seat Control Solutions

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40V & 60V Auto-Grade MOSFETs

Micro Commercial Components (MCC) 40V and 60V Auto-Grade MOSFETs are available in N-channel and P-channel options and deliver high power density in a compact DFN3333 package. These MOSFETs are fully AEC-Q101 qualified, operate within the -55°C to 175°C temperature range, and feature a ±20 gate-source voltage. The P-channel MOSFETs are powered by trench Low Voltage (LV) technology, and the N-channel MOSFETs are powered by Split-Gate Trench (SGT) technology. These MOSFETs exhibit a low R_DS(ON), comply with Moisture Sensitivity Level 1 (MSL 1) standards, and are Halogen-free, Pb-free, and RoHS-compliant. Typical applications include battery management systems, DC-to-DC converters, seat controls, electric water pumps, motor drives, lighting control systems, and load switches.