MR0A08BCMA35R

Everspin Technologies
936-MR0A08BCMA35R
MR0A08BCMA35R

メーカ：

詳細：
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）

データシート:
ECADモデル:
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MR0A08BCMA35
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Tray
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MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
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製品属性 属性値 属性の選択
Everspin Technologies
製品カテゴリー: MRAM（磁気抵抗メモリ）
RoHS:  
BGA-48
Parallel
1 Mbit
128 k x 8
8 bit
35 ns
3 V
3.6 V
25 mA, 55 mA
- 40 C
+ 85 C
MR0A08B
Reel
ブランド: Everspin Technologies
水分感度: Yes
取り付け様式: SMD/SMT
Pd - 電力損失: 600 mW
製品タイプ: MRAM
工場パックの数量: 2000
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
トレードネーム: Parallel I/O (x8)
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選択した属性: 0

データシート

PCN

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JPHTS:
8542320312
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
KRHTS:
8542321040
MXHTS:
8471600499
ECCN:
EAR99

MR0A08B, MR0D08B, & MR0A16A 1Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR0A08B, MR0D08B, and MR0A16A are 1,048,576-bit magnetoresistive random access memory (MRAM) devices. The Everspin MRAM devices are available in a variety of specifications, such as dual supply, serial SPI, and organized as 131,072 words of 8 bits or 65,536 words of 16 bits. These MRAM devices are as fast 35ns or 45ns read/write timing cycles with no write delays and unlimited read/write endurance. 

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