MR0A16ACMA35

Everspin Technologies
936-MR0A16ACMA35
MR0A16ACMA35

メーカ：

詳細：
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）

データシート:
ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥3,352.9 ¥3,353
¥3,103.5 ¥31,035
¥3,005.7 ¥75,143
¥2,932.4 ¥146,620
¥2,860.7 ¥286,070
¥2,523.2 ¥630,800
¥2,358.6 ¥820,793

製品属性 属性値 属性の選択
Everspin Technologies
製品カテゴリー: MRAM（磁気抵抗メモリ）
RoHS:  
REACH - SVHC:
BGA-48
Parallel
1 Mbit
64 k x 16
16 bit
35 ns
3 V
3.6 V
55 mA, 105 mA
- 40 C
+ 85 C
MR0A16A
Tray
ブランド: Everspin Technologies
水分感度: Yes
取り付け様式: SMD/SMT
Pd - 電力損失: 600 mW
製品タイプ: MRAM
工場パックの数量: 348
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
トレードネーム: Parallel I/O (x16)
単位重量: 5.465 g
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選択した属性: 0

データシート

PCN

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コンプライアンスコード
JPHTS:
8542320312
CNHTS:
8542329000
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
KRHTS:
8542321040
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
台湾
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.

MR0A08B, MR0D08B, & MR0A16A 1Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR0A08B, MR0D08B, and MR0A16A are 1,048,576-bit magnetoresistive random access memory (MRAM) devices. The Everspin MRAM devices are available in a variety of specifications, such as dual supply, serial SPI, and organized as 131,072 words of 8 bits or 65,536 words of 16 bits. These MRAM devices are as fast 35ns or 45ns read/write timing cycles with no write delays and unlimited read/write endurance. 

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