MR2A08ACYS35

Name: Everspin Technologies MR2A08ACYS35
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR2A08ACYS35
Price: 7343 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

936-MR2A08ACYS35

メーカ番号：

MR2A08ACYS35

メーカ：

Everspin Technologies

詳細：

MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）

データシート:

MR2A08ACYS35 データシート (PDF)

ECADモデル:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Everspin Technologies
製品カテゴリー:	MRAM（磁気抵抗メモリ）
RoHS:
パッケージ/ケース:	TSOP-II-44
インタフェースタイプ:	Parallel
メモリサイズ:	4 Mbit
編成:	512 k x 8
データバス幅:	8 bit
アクセス時間:	35 ns
供給電圧 - 最小:	3 V
供給電圧 - 最大:	3.6 V
動作供給電流:	30 mA, 90 mA
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 85 C
取り付け様式:	SMD/SMT
シリーズ:	MR2A08A
パッケージ化:	Tray
ブランド:	Everspin Technologies
水分感度:	Yes
Pd - 電力損失:	600 mW
製品タイプ:	MRAM
工場パックの数量:	135
サブカテゴリ:	Memory & Data Storage
トレードネーム:	Parallel I/O (x8)
単位重量:	5 g

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データシート

MR2A08ACYS35 データシート (PDF)

Application Notes

Improved Magnetic Immunity on 4Mb (256KbX16), 4mb (512kbX8) and 1Mb (64KbX16) TSOP2 Industrial and Extended Temperature Grade Products (PDF)

PCN

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 8542320312
CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 台湾
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4,194,304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524,288 words of 8 bits.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.