MR2A08AMYS35

Name: Everspin Technologies MR2A08AMYS35
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR2A08AMYS35
Price: 8955 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

936-MR2A08AMYS35

メーカ番号：

MR2A08AMYS35

メーカ：

Everspin Technologies

詳細：

MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）

データシート:

MR2A08AMYS35 データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Everspin Technologies
製品カテゴリー:	MRAM（磁気抵抗メモリ）
RoHS:
パッケージ/ケース:	TSOP-II-44
インタフェースタイプ:	Parallel
メモリサイズ:	4 Mbit
編成:	512 k x 8
データバス幅:	8 bit
アクセス時間:	35 ns
供給電圧 - 最小:	3 V
供給電圧 - 最大:	3.6 V
動作供給電流:	30 mA, 90 mA
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 125 C
シリーズ:	MR2A08A
パッケージ化:	Tray
ブランド:	Everspin Technologies
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	TW
水分感度:	Yes
取り付け様式:	SMD/SMT
Pd - 電力損失:	600 mW
製品タイプ:	MRAM
工場パックの数量:	135
サブカテゴリ:	Memory & Data Storage
トレードネーム:	Parallel I/O (x8)

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MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4,194,304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524,288 words of 8 bits.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.