MR4A16BCYS35

Name: Everspin Technologies MR4A16BCYS35
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR4A16BCYS35
Price: 10791 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

936-MR4A16BCYS35

メーカ番号：

MR4A16BCYS35

メーカ：

Everspin Technologies

詳細：

MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）

データシート:

MR4A16BCYS35 データシート (PDF)

ECADモデル:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Everspin Technologies
製品カテゴリー:	MRAM（磁気抵抗メモリ）
RoHS:
パッケージ/ケース:	TSOP-II-54
インタフェースタイプ:	Parallel
メモリサイズ:	16 Mbit
編成:	1 M x 16
データバス幅:	16 bit
アクセス時間:	35 ns
供給電圧 - 最小:	3 V
供給電圧 - 最大:	3.6 V
動作供給電流:	60 mA, 152 mA
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 85 C
取り付け様式:	SMD/SMT
シリーズ:	MR4A16B
パッケージ化:	Tray
ブランド:	Everspin Technologies
水分感度:	Yes
Pd - 電力損失:	600 mW
製品タイプ:	MRAM
工場パックの数量:	108
サブカテゴリ:	Memory & Data Storage
トレードネーム:	Parallel I/O (x16)
単位重量:	4.193 g

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PCN

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 8542320312
CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
KRHTS:: 8542321040
TARIC:: 8542329000
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 台湾
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

MR4A08B & MR4A16B 16Mb Parallel MRAMs

Everspin Technologies MR4A08B and MR4A16B 16Mb Parallel MRAM devices provide SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The Everspin Technologies MR4A08B is a 16,777,216-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) device organized as 2,097,152 words of 8 bits.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.