ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

[結果検索] に戻る

MR4A16BUYS45

Name: Everspin Technologies MR4A16BUYS45
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR4A16BUYS45
Price: 12187 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

936-MR4A16BUYS45

メーカ番号：

MR4A16BUYS45

メーカ：

Everspin Technologies

詳細：

MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）

データシート:

MR4A16BUYS45 データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

Everspin Technologies MR4A16BUYS45の詳細を読む

在庫: 279

在庫：: 279 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 27 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

この製品は配送無料

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥12,187.2	¥12,187
	¥11,246.4	¥112,464
	¥10,878.4	¥271,960
	¥10,604.8	¥530,240
	¥10,320	¥1,114,560
216	見積り

他のパッケージ

メーカ部品番号:

MR4A16BUYS45R

梱包:

Reel, Cut Tape, MouseReel

在庫状況:

在庫

価格:

¥10,246

最低:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Everspin Technologies
製品カテゴリー:	MRAM（磁気抵抗メモリ）
RoHS:
パッケージ/ケース:	TSOP-II-54
インタフェースタイプ:	Parallel
メモリサイズ:	16 Mbit
編成:	1 M x 16
データバス幅:	16 bit
アクセス時間:	45 ns
供給電圧 - 最小:	3 V
供給電圧 - 最大:	3.6 V
動作供給電流:	60 mA, 152 mA
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 125 C
シリーズ:	MR4A16B
パッケージ化:	Tray
ブランド:	Everspin Technologies
水分感度:	Yes
取り付け様式:	SMD/SMT
Pd - 電力損失:	600 mW
製品タイプ:	MRAM
工場パックの数量:	108
サブカテゴリ:	Memory & Data Storage
トレードネーム:	Parallel I/O (x16)
単位重量:	9.210 g

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

MR4A16BUYS45 データシート (PDF)

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

CNHTS:: 8542329090
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

MR4A08B & MR4A16B 16Mb Parallel MRAMs

Everspin Technologies MR4A08B and MR4A16B 16Mb Parallel MRAM devices provide SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The Everspin Technologies MR4A08B is a 16,777,216-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) device organized as 2,097,152 words of 8 bits.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.