MSCSM120DAM31CTBL1NG

Microchip Technology
579-M120DAM31CTBL1NG
MSCSM120DAM31CTBL1NG

メーカ：

詳細：
ディスクリート半導体モジュール PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1

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Microchip
製品カテゴリー: ディスクリート半導体モジュール
MOSFET-SiC SBD Modules
MOSFET / SiC SBD
SiC
1.5 V
1.2 kV
- 10 V, + 25 V
Screw Mount
- 55 C
+ 175 C
ブランド: Microchip Technology
構成: Boost Chopper
下降時間: 25 ns
Id - 連続ドレイン電流: 79 A
Pd - 電力損失: 310 W
製品タイプ: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 31 mOhms
上昇時間: 30 ns
工場パックの数量: 1
サブカテゴリ: Discrete Semiconductor Modules
トランジスタ極性: N-Channel
標準電源切断遅延時間: 50 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 30 ns
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧: 1.2 kV
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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

MSCSM120x MOSFETパワーモジュール

Microchip Technology  MSCSM120x MOSFETパワーモジュールは、Si3N4基板が特徴の効率性の高いコンバータで、熱性能の向上を目的とした厚い銅が備わっています。これらのモジュールは薄型で、ヒートシンクへの直接取付（絶縁パッケージ）、温度監視用の内部サーミスタ、拡張温度範囲に対応します。MSCSM120xモジュールは、1.2kV逆方向電圧（VR）、-10V～25Vゲート-ソース間電圧範囲（VGS）、310W/560W電力散逸（PD）、79A/150A連続ドレイン電流（ID）で動作します。これらのモジュールは、信頼性の高い電力システム、高効率AC/DCおよびDC/ACコンバータ、モーター制御、ACスイッチといったアプリケーションに使用します。

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