NSF080120L3A0Q

Name: Nexperia NSF080120L3A0Q
Brand: Nexperia
SKU: 771-NSF080120L3A0
Price: 1480 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

771-NSF080120L3A0

メーカ番号：

NSF080120L3A0Q

メーカ：

Nexperia

詳細：

SiC MOSFET NSF080120L3A0/SOT429-2/TO247-3

データシート:

NSF080120L3A0Q データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Nexperia
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	36 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	120 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.9 V
Qg - ゲート電荷:	44 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	202 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	Nexperia
構成:	Single
下降時間:	14 ns
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	14 ns
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタ極性:	N-Channel
標準電源切断遅延時間:	15 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	30 ns
別の部品番号:	934665928127

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データシート

NSF080120L3A0Q データシート (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

1200V SiC MOSFET

ネクスペリア (Nexperia) 1200V SiC MOSFETは、上面冷却（TSC）対応のQDPAKパッケージを採用しており、高効率、高電力密度、および優れた放熱性能が求められる車載や産業用の電力変換システム向けに設計されています。本デバイスは、SiCのスイッチング性能に上面冷却パッケージアーキテクチャを組み合わせており、ダイからヒートシンクへの直接的な熱伝導パスを提供します。これにより、プリント基板への熱拡散への依存度が下がり、小型設計へのよりシンプルで効果的な冷却コンセプトの適用が可能です。代表的なアプリケーションには、EV用オンボードチャージャ、DC/DCコンバータ、トラクションおよび補助インバータ、EV充電インフラ、再生可能エネルギーシステム、高出力AC/DCおよびDC/DC電力変換などがあります。