NSS20200DMTTBG

onsemi
863-NSS20200DMTTBG
NSS20200DMTTBG

メーカ：

詳細：
バイポーラトランジスタ - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 2,980

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工場リードタイム：
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥163.2 ¥163
¥102.2 ¥1,022
¥66.9 ¥6,690
¥51.5 ¥25,750
¥46.7 ¥46,700
完全リール（3000の倍数で注文）
¥40.3 ¥120,900

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: バイポーラトランジスタ - BJT
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WDFN6
Dual
20 V
20 V
250 mV
NSS20200DM
Reel
Cut Tape
ブランド: onsemi
DCコレクター/ベース電流増幅率 hfe/分: 220
製品タイプ: BJTs - Bipolar Transistors
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

USHTS:
8541210095
TARIC:
8541210000
ECCN:
EAR99

e2PowerEdge 低VCE(sat)トランジスタ

オンセミ（onsemi）e2PowerEdge低V CE（sat）トランジスタは、超低飽和電圧（V CE（sat））および大電流ゲイン機能が特徴のミニチュア表面実装デバイスです。これらは、手頃な価格で効率的なエネルギー制御が不可欠な低電圧、高速スイッチングアプリケーション用に設計されています。代表的なアプリケーションは、携帯電話やコードレス電話、PDA、コンピュータ、プリンタ、デジタル・カメラ、MP3プレーヤなどのポータブルおよびバッテリ駆動製品のDC/DCコンバータおよびパワーマネジメント（電源管理）です。その他のアプリケーションには、ディスクやテープドライブといったマスストレージ製品における低電圧モータ制御があります。自動車産業では、エアバッグの展開や計器クラスタで使用できます。高電流ゲインにより、オンセミ (onsemi) e2PowerEdgeデバイスをPMUの制御出力から直接駆動でき、リニア・ゲイン（ベータ）によりアナログ・アンプの理想的なコンポーネントになります。

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