NSS20201DMTTBG

Name: onsemi NSS20201DMTTBG
Brand: onsemi
SKU: 863-NSS20201DMTTBG
Price: 192 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

863-NSS20201DMTTBG

メーカ番号：

NSS20201DMTTBG

メーカ：

onsemi

詳細：

バイポーラトランジスタ - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR

データシート:

NSS20201DMTTBG データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	バイポーラトランジスタ - BJT
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	WDFN-6
トランジスタ極性:	NPN
構成:	Dual
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	20 V
コレクタ - ベース電圧 VCBO:	20 V
エミッタ - ベース電圧 VEBO:	7 V
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	330 mV
Pd - 電力損失:	2.27 W
利得帯域幅製品 fT:	180 MHz
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
シリーズ:	NSS20201DM
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	onsemi
連続コレクタ電流:	2 A
DCコレクター/ベース電流増幅率 hfe/分:	100
DC 電流ゲイン hFE 最大値:	250
製品タイプ:	BJTs - Bipolar Transistors
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors

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データシート

NSS20201DMTTBG データシート (PDF)

PCN

コンプライアンスコード

USHTS:: 8541210075
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: タイ
組立原産国:: マレーシア
拡散国:: マレーシア

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

e2PowerEdge 低VCE(sat)トランジスタ

オンセミ（onsemi）e2PowerEdge低V _CE（sat）トランジスタは、超低飽和電圧（V _CE（sat））および大電流ゲイン機能が特徴のミニチュア表面実装デバイスです。これらは、手頃な価格で効率的なエネルギー制御が不可欠な低電圧、高速スイッチングアプリケーション用に設計されています。代表的なアプリケーションは、携帯電話やコードレス電話、PDA、コンピュータ、プリンタ、デジタル・カメラ、MP3プレーヤなどのポータブルおよびバッテリ駆動製品のDC/DCコンバータおよびパワーマネジメント（電源管理）です。その他のアプリケーションには、ディスクやテープドライブといったマスストレージ製品における低電圧モータ制御があります。自動車産業では、エアバッグの展開や計器クラスタで使用できます。高電流ゲインにより、オンセミ (onsemi) e2PowerEdgeデバイスをPMUの制御出力から直接駆動でき、リニア・ゲイン（ベータ）によりアナログ・アンプの理想的なコンポーネントになります。