NSS40302PDR2G

onsemi
863-NSS40302PDR2G
NSS40302PDR2G

メーカ：

詳細：
バイポーラトランジスタ - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 5,886

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工場リードタイム：
8 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（2500の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥289.6 ¥290
¥184 ¥1,840
¥123.5 ¥12,350
¥97.6 ¥48,800
¥89.3 ¥89,300
完全リール（2500の倍数で注文）
¥78.9 ¥197,250
¥73 ¥730,000
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: バイポーラトランジスタ - BJT
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
NPN, PNP
Dual
3 A
40 V
40 V
6 V, 7 V
82 mV, 135 mV
783 mW
100 MHz
- 55 C
+ 150 C
NSS40302PD
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: onsemi
DCコレクター/ベース電流増幅率 hfe/分: 200 at 10 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 180 at 1 A, 2 V, 180 at 2 A, 2 V
DC 電流ゲイン hFE 最大値: 200 at 10 mA, 2 V
製品タイプ: BJTs - Bipolar Transistors
工場パックの数量: 2500
サブカテゴリ: Transistors
単位重量: 143 mg
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選択した属性: 0

データシート

PCN

JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
85423999
ECCN:
EAR99

e2PowerEdge 低VCE(sat)トランジスタ

オンセミ（onsemi）e2PowerEdge低V CE（sat）トランジスタは、超低飽和電圧（V CE（sat））および大電流ゲイン機能が特徴のミニチュア表面実装デバイスです。これらは、手頃な価格で効率的なエネルギー制御が不可欠な低電圧、高速スイッチングアプリケーション用に設計されています。代表的なアプリケーションは、携帯電話やコードレス電話、PDA、コンピュータ、プリンタ、デジタル・カメラ、MP3プレーヤなどのポータブルおよびバッテリ駆動製品のDC/DCコンバータおよびパワーマネジメント（電源管理）です。その他のアプリケーションには、ディスクやテープドライブといったマスストレージ製品における低電圧モータ制御があります。自動車産業では、エアバッグの展開や計器クラスタで使用できます。高電流ゲインにより、オンセミ (onsemi) e2PowerEdgeデバイスをPMUの制御出力から直接駆動でき、リニア・ゲイン（ベータ）によりアナログ・アンプの理想的なコンポーネントになります。

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