NSV1C301CTWG

Name: onsemi NSV1C301CTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NSV1C301CTWG
Price: 256 JPY
Availability: InStock

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製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

863-NSV1C301CTWG

メーカ番号：

NSV1C301CTWG

メーカ：

onsemi

詳細：

バイポーラトランジスタ - BJT 100 V, 3.0 A Low VCE(sat) NPN Bipolar Junction Transistor, Automotive

データシート:

NSV1C301CTWG データシート

ECADモデル:

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	¥163.2	¥1,632
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	¥88.5	¥44,250
	¥77.6	¥77,600
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥71.4	¥214,200

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	バイポーラトランジスタ - BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
パッケージ/ケース:	LFPAK-4
シリーズ:	NSS1C301CT
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	onsemi
製品タイプ:	BJTs - Bipolar Transistors
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors

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選択した属性: 0

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データシート

NSV1C301CTWG データシート

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

e2PowerEdge 低VCE(sat)トランジスタ

オンセミ（onsemi）e2PowerEdge低V _CE（sat）トランジスタは、超低飽和電圧（V _CE（sat））および大電流ゲイン機能が特徴のミニチュア表面実装デバイスです。これらは、手頃な価格で効率的なエネルギー制御が不可欠な低電圧、高速スイッチングアプリケーション用に設計されています。代表的なアプリケーションは、携帯電話やコードレス電話、PDA、コンピュータ、プリンタ、デジタル・カメラ、MP3プレーヤなどのポータブルおよびバッテリ駆動製品のDC/DCコンバータおよびパワーマネジメント（電源管理）です。その他のアプリケーションには、ディスクやテープドライブといったマスストレージ製品における低電圧モータ制御があります。自動車産業では、エアバッグの展開や計器クラスタで使用できます。高電流ゲインにより、オンセミ (onsemi) e2PowerEdgeデバイスをPMUの制御出力から直接駆動でき、リニア・ゲイン（ベータ）によりアナログ・アンプの理想的なコンポーネントになります。