NTBLS1D1N08XTXG

Name: onsemi NTBLS1D1N08XTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBLS1D1N08XTXG
Price: 926 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

863-NTBLS1D1N08XTXG

メーカ番号：

NTBLS1D1N08XTXG

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel, TOLL, 80 V, 1.1 m, 299 A

ライフサイクル:

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NTBLS1D1N08XTXG データシート (PDF)

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	H-PSOF-8L
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	80 V
Id - 連続ドレイン電流:	299 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	1.1 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.6 V
Qg - ゲート電荷:	120 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	197 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	152 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	294 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	118 ns
工場パックの数量:	2000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	40 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	22 ns

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データシート

NTBLS1D1N08XTXG データシート (PDF)

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

低電圧から中電圧のT10 MOSFET

onsemi 低電圧から中電圧のT10 MOSFETは、40Vと80Vのカテゴリに分類されるシングルNチャネルPower MOSFETです。性能の改善、システム効率の向上、高い電力密度を実現しています。これらのパワーMOSFETは、導通損失を低減する低R_DS（on）特性と、ドライバ損失を抑える低容量特性を備えています。T10低／中電圧MOSFETは、低Q_RR特性とソフトリカバリ特性を備えたボディダイオードを提供します。これらのMOSFETは、RoHS準拠、鉛フリー/ハロゲンフリー/BFRフリーです。代表的なアプリケーションは、DC/DCおよびAC/DCコンバータの同期整流 (SR)、絶縁型DC/DCコンバータの一次側（メインスイッチ）、バッテリ保護、モータ・ドライブなどです。