NTMFS008N12MCT1G

Name: onsemi NTMFS008N12MCT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS008N12MCT1G
Price: 584 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

863-NTMFS008N12MCT1G

メーカ番号：

NTMFS008N12MCT1G

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET PTNG 120V SG

データシート:

NTMFS008N12MCT1G データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SO-8FL-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	120 V
Id - 連続ドレイン電流:	79 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	8 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
Qg - ゲート電荷:	33 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	102 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	onsemi
製品タイプ:	MOSFETs
シリーズ:	NTMFS008N12MC
工場パックの数量:	1500
サブカテゴリ:	Transistors

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データシート

NTMFS008N12MCT1G データシート (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-7-9 (PDF)

Material Composition Disclosure

コンプライアンスコード

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: マレーシア
組立原産国:: マレーシア
拡散国:: 韓国

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

シングルNチャンネルパワーMOSFET

onsemiシングルNチャンネルパワーMOSFETは、小型フットプリントでコンパクト設計のMOSFETで、低R_DS(on)と低容量が備わっています。低R_DS(on)値は、伝導損失を最小限に抑えることに貢献します。低静電容量は、ドライバ損失を最小化します。これらのシングルNチャンネルパワーMOSFETは、無鉛でRoHSに準拠しており、-55°C～175°Cの動作温度範囲が特徴です。