NTMFS2D1N08XT1G

Name: onsemi NTMFS2D1N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS2D1N08XT1G
Price: 579 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

863-NTMFS2D1N08XT1G

メーカ番号：

NTMFS2D1N08XT1G

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

データシート:

NTMFS2D1N08XT1G データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

onsemi NTMFS2D1N08XT1Gの詳細を読む

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DFN-5
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	80 V
Id - 連続ドレイン電流:	201 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	1.9 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.6 V
Qg - ゲート電荷:	39 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	164 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	7 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	158 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	9 ns
シリーズ:	NTMFS2D1N08X
工場パックの数量:	1500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	42 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	29 ns

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

NTMFS2D1N08XT1G データシート (PDF)

PCN

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: マレーシア
組立原産国:: マレーシア
拡散国:: 日本

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

PowerTrench技術

Onsemi PowerTrenchテクノロジーは、 PowerTrenchテクノロジー、特にパワーエレクトロニクスにおける画期的な進歩を意味する T6 から T10 への進歩を象徴しています。onsemiによって開発されたPowerTrench MOSFETには、さまざまなアプリケーション全体で強化された効率性と性能が備わっています。T6/T8からT10への移行により、オン抵抗とスイッチング性能が大幅に向上しており、エネルギー効率に優れた設計に不可欠なものとなります。

40V パワーMOSFET

オンセミ (onsemi) 40VパワーMOSFET は標準のゲートレベル技術を特徴とし、クラス最高のオン抵抗を誇ります。オンセミ (onsemi) MOSFETは、モータドライバアプリケーション用に設計されています。このデバイスは、より低いオン抵抗とゲート電荷の低減によって、導通損失と駆動損失を効果的に最小限に抑えます。さらに、MOSFETは、ボディダイオード逆回復のための優れたソフト性制御を実現しており、アプリケーションに追加のスナバ回路を必要とせずに電圧スパイク応力を効果的に軽減します。