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NTMFS2D5N08XT1G

Name: onsemi NTMFS2D5N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS2D5N08XT1G
Price: 526 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

863-NTMFS2D5N08XT1G

メーカ番号：

NTMFS2D5N08XT1G

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

データシート:

NTMFS2D5N08XT1G データシート

ECADモデル:

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在庫: 5

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価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥526.5	¥527
	¥342.2	¥3,422
	¥235.9	¥23,590
	¥197.7	¥98,850
完全リール（1500の倍数で注文）
	¥197.7	¥296,550

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DFN-5
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	80 V
Id - 連続ドレイン電流:	181 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	2.1 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.6 V
Qg - ゲート電荷:	53 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	148 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	8 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	135 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	9 ns
シリーズ:	NTMFS2D5N08X
工場パックの数量:	1500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	38 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	26 ns

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選択した属性: 0

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データシート

NTMFS2D5N08XT1G データシート

PCN

Product Change Notification 2025-2-27 (PDF)

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: マレーシア
組立原産国:: マレーシア
拡散国:: 日本

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

40V パワーMOSFET

オンセミ (onsemi) 40VパワーMOSFET は標準のゲートレベル技術を特徴とし、クラス最高のオン抵抗を誇ります。オンセミ (onsemi) MOSFETは、モータドライバアプリケーション用に設計されています。このデバイスは、より低いオン抵抗とゲート電荷の低減によって、導通損失と駆動損失を効果的に最小限に抑えます。さらに、MOSFETは、ボディダイオード逆回復のための優れたソフト性制御を実現しており、アプリケーションに追加のスナバ回路を必要とせずに電圧スパイク応力を効果的に軽減します。

PowerTrench技術

Onsemi PowerTrenchテクノロジーは、 PowerTrenchテクノロジー、特にパワーエレクトロニクスにおける画期的な進歩を意味する T6 から T10 への進歩を象徴しています。onsemiによって開発されたPowerTrench MOSFETには、さまざまなアプリケーション全体で強化された効率性と性能が備わっています。T6/T8からT10への移行により、オン抵抗とスイッチング性能が大幅に向上しており、エネルギー効率に優れた設計に不可欠なものとなります。