NTMFS4D5N08XT1G

Name: onsemi NTMFS4D5N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS4D5N08XT1G
Price: 312 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

863-NTMFS4D5N08XT1G

メーカ番号：

NTMFS4D5N08XT1G

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

ライフサイクル:

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データシート:

NTMFS4D5N08XT1G データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DFN-5
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	80 V
Id - 連続ドレイン電流:	94 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	4.5 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.6 V
Qg - ゲート電荷:	15 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	82 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	30 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	61 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	24 ns
工場パックの数量:	1500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	16 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	11 ns

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データシート

NTMFS4D5N08XT1G データシート (PDF)

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: マレーシア
組立原産国:: マレーシア
拡散国:: 日本

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

T10 低/中電圧MOSFET

onsemi T10 低/中電圧MOSFETは、40Vおよび80VクラスのシングルNチャネルパワーMOSFETであり、性能の向上、システム効率の向上、および高い電力密度を実現しています。これらのパワーMOSFETは、導通損失を最小限に抑える低RDS(on)と、ドライバ損失を最小限に抑える低容量を特徴としています。T10低/中電圧MOSFETは、低いQRRとソフトリカバリーのボディダイオードを備えています。これらのMOSFETはRoHSに準拠しており、鉛フリー、ハロゲンフリー、BFRフリーです。代表的な用途には、DC-DCおよびAC-DCコンバータにおける同期整流（SR）、絶縁型DC-DCコンバータの一次側スイッチ、バッテリー保護、およびモーター駆動などがあります。