NTMFS7D5N15MC

Name: onsemi NTMFS7D5N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS7D5N15MC
Price: 1126 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

863-NTMFS7D5N15MC

メーカ番号：

NTMFS7D5N15MC

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET PTNG 150V 7.4MOHM POWERCLIP56

データシート:

NTMFS7D5N15MC データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PQFN-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	150 V
Id - 連続ドレイン電流:	95.6 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	7.9 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.5 V
Qg - ゲート電荷:	46 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	166.7 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	PowerTrench
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	5 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	91 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	6 ns
シリーズ:	NTMFS7D5N15MC
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	32 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	27 ns

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データシート

NTMFS7D5N15MC データシート (PDF)

Material Composition Disclosure

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: フィリピン
組立原産国:: フィリピン
拡散国:: 韓国

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

シールドゲートPowerTrench® MOSFET

OnsemiシールドゲートPowerTrench®MOSFETは、オン状態抵抗を最小化し、クラス最高のソフト・ボディ・ダイオードにより優れたスイッチング性能を維持するNチャネルMOSFETです。これらのMOSFETは、他のMOSFETに比べてより低いQ_rr を提供します。OnsemiシールドゲートPowerTrench MOSFETは、スイッチングノイズ/電磁干渉 (EMI) を低減します。これらのMOSFETは、伝導損失を最小化する低 R_{DS (on)} 、ドライバ損失を最小化する低いQ_G と静電容量が特徴です。シールドゲートPowerTrench MOSFETは、コンパクトな設計のために5mm x 6mm寸法の小型PQFN8パッケージで提供されます。代表的なアプリケーションには、同期整流(SR) 、AC/DCおよびDC/DC電源、AC/DCアダプタ (USB電源供給) SR、負荷スイッチがあります。

エネルギーストレージソリューション

Onsemi のエネルギー貯蔵システム（ESS）は、石炭、原子力、風力、太陽光などのさまざまな電力源から電気を蓄え、バッテリ（電気化学的）、圧縮空気（機械的）、溶融塩（熱エネルギー）など、異なる形態で保存します。このソリューションは、ソーラー・インバータ・システムに接続されたバッテリー蓄電システムに焦点を当てています。

NTMFS7D5N15MCシールドゲートPowerTrench® MOSFET

OnsemiのNTMFS7D5N15MC NチャネルシールドゲートPowerTrench® MOSFETは、シールドゲート技術を組み込んだ高度なPowerTrenchプロセスを使用して製造されています。このプロセスは、オン状態抵抗を最小限に抑えつつ、優れたスイッチング性能と業界最高クラスのソフトボディダイオードを維持するよう最適化されています。OnsemiのNTMFS7D5N15MCは、スイッチングノイズ、EMI、キャパシタンス（ドライバ損失の最小化）、およびR_DS（on）（導通損失の最小化）を低減します。