NTMYS1D2N04CLTWG

onsemi
863-NTMYS1D2N04CLTWG
NTMYS1D2N04CLTWG

メーカ：

詳細：
MOSFET T6 40V LL LFPAK

データシート:
ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥489 ¥489
¥314.6 ¥3,146
¥216.8 ¥21,680
¥176 ¥88,000
¥163 ¥163,000
完全リール（3000の倍数で注文）
¥157.3 ¥471,900
¥152.1 ¥912,600
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
LFPAK-4
N-Channel
1 Channel
40 V
258 A
1.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
52 nC
- 55 C
+ 175 C
134 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: onsemi
構成: Single
組立国: PH
拡散国: JP
原産国: JP
下降時間: 22 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 8.1 ns
シリーズ: NTMYS1D2N04CL
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 79 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 14 ns
単位重量: 75 mg
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選択した属性: 0

データシート

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Trench6 Nチャンネル MV MOSFET

onsemi Trench6 NチャンネルMV MOSFETは、シールドゲート技術が組み込まれた高度パワートレンチプロセスを使用して生産された30V、40V、60V MOSFETです。このプロセッサは、ON状態抵抗を最小限に抑えるように最適化されていますが、依然としてベストインクラスのソフトボディダイオードが備わった優れたスイッチング性能を維持しています。

シングルNチャンネルパワーMOSFET

onsemiシングルNチャンネルパワーMOSFETは、小型フットプリントでコンパクト設計のMOSFETで、低RDS(on)と低容量が備わっています。低RDS(on)値は、伝導損失を最小限に抑えることに貢献します。低静電容量は、ドライバ損失を最小化します。これらのシングルNチャンネルパワーMOSFETは、無鉛でRoHSに準拠しており、-55°C～175°Cの動作温度範囲が特徴です。

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