NTMYS2D4N04CTWG

onsemi
863-NTMYS2D4N04CTWG
NTMYS2D4N04CTWG

メーカ：

詳細：
MOSFET 40V 140A 2.3Ohm Single N-Channel

データシート:
ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
LFPAK-4
N-Channel
1 Channel
40 V
138 A
2.3 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
32 nC
- 55 C
+ 175 C
83 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 18 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 92 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 50 ns
シリーズ: NTMYS2D4N04C
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 23 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 11 ns
単位重量: 75 mg
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選択した属性: 0

データシート

PCN

コンプライアンスコード
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
日本
組立原産国:
フィリピン
拡散国:
日本
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

Trench6 Nチャンネル MV MOSFET

onsemi Trench6 NチャンネルMV MOSFETは、シールドゲート技術が組み込まれた高度パワートレンチプロセスを使用して生産された30V、40V、60V MOSFETです。このプロセッサは、ON状態抵抗を最小限に抑えるように最適化されていますが、依然としてベストインクラスのソフトボディダイオードが備わった優れたスイッチング性能を維持しています。

LFPAK4産業用パワーMOSFET

onsemi LFPAK4産業用パワーMOSFETは、シングルNチャンネルMOSFETで、小型5mm x 6mmフットプリントになっており、コンパクトな設計に最適です。これらのデバイスは、低ドレイン-ソース間ON抵抗が特徴で、導電損失および低ゲート電荷と静電容量を最小限に抑え、ドライバ損失を最小化できます。これらの産業グレードパワーMOSFETは、無鉛でRoHSに準拠しており、-55°C～+175°Cの広い動作温度範囲が特徴です。

在庫状況

在庫：
12,000 20 日内に出荷可能
この製品はリードタイムが長いと報告されています。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥421.9 ¥422
¥207.6 ¥2,076
¥186 ¥18,600
¥148.2 ¥74,100
¥144.2 ¥144,200
完全リール（3000の倍数で注文）
¥128.1 ¥384,300
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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