NTP7D3N15MC

Name: onsemi NTP7D3N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTP7D3N15MC
Price: 737 JPY
Availability: InStock

Mouser 番号：

863-NTP7D3N15MC

メーカ番号：

NTP7D3N15MC

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 7.3 mohm, 101 A

データシート:

NTP7D3N15MC データシート

ECADモデル:

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在庫: 583

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	¥361.6	¥361,600

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	150 V
Id - 連続ドレイン電流:	101 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	7.3 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.5 V
Qg - ゲート電荷:	53 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	166 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	PowerTrench
パッケージ化:	Tube
ブランド:	onsemi
製品タイプ:	MOSFETs
シリーズ:	NTP7D3N15MC
工場パックの数量:	50
サブカテゴリ:	Transistors

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データシート

NTP7D3N15MC データシート

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

シールドゲートPowerTrench® MOSFET

OnsemiシールドゲートPowerTrench® MOSFETはNチャンネルであり、最適化されたスイッチング性能を提供します。このMOSFETは、低い逆回復充電 (Qrr) とソフトボディダイオードが特徴で、優れた低ノイズスイッチングを目的としています。OnsemiシールドゲートPowerTrench MOSFETは、より低いスイッチングスパイクと電磁干渉 (EMI) により高効率を提供します。これにより、スイッチング性能指数 (FOM) が向上します。代表的なアプリケーションには、ATX/サーバー/テレコム電源ユニット(PSU) 、モータドライブ、無停電電源装置(UPS) 、マイクロソーラーインバータなどの同期整流が含まれます。